[发明专利]一种多光吸收层结构的宽光谱光电探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种多光吸收层的宽光谱探测器，其特征在于：自下而上由硅衬底层(1)、氧化锌层(2)、具有叉指结构的掩埋式电极层(3)和氧化镓覆盖层(4)组成，掩埋式电极层(3)的叉指结构掩埋于氧化镓覆盖层(4)中，叉指结构两侧裸露出部分的掩埋式电极层(3)用于施加偏压。

2.如权利要求1所述的一种多光吸收层的宽光谱探测器，其特征在于：氧化锌层(2)厚度为50～200nm，掩埋式电极层(3)厚度为50～100nm，氧化镓覆盖层(4)厚度为50～150nm。

3.如权利要求1所述的一种多光吸收层的宽光谱探测器，其特征在于：叉指结构的叉指间距和叉指宽度均为3～20μm，对数为20～40对。

4.如权利要求1所述的一种多光吸收层的宽光谱探测器，其特征在于：掩埋式电极层(3)的材料为金、铂或钛。

5.权利要求1～4任何一项所述的一种多光吸收层的宽光谱探测器的制备方法，其步骤如下：

(a)利用丙酮、乙醇、去离子水依次对硅衬底层(1)进行超声清洗，然后用氮气枪吹干；

(b)在步骤(a)得到的硅衬底层1表面生长氧化锌层(2)；

(c)在步骤(b)得到的氧化锌层(2)表面均匀旋涂一层光刻胶层；

(d)通过前烘、曝光、显影、后烘，在氧化锌层(2)的表面形成与拟制备的掩埋式电极层(3)结构互补的图案化光刻胶层；

(e)利用步骤(d)得到的图案化光刻胶层作掩膜，在图案化光刻胶层和氧化锌层(2)上沉积金属层；

(f)将步骤(e)得到的器件放入剥离液中超声清洗，去除图案化光刻胶层及其上面的金属层，在氧化锌层(2)表面得到具有叉指结构的掩埋式电极层(3)；

(g)在步骤(f)得到的具有叉指结构的掩埋式电极层(3)表面生长氧化镓覆盖层(4)，使掩埋式电极层(3)的叉指结构掩埋于氧化镓覆盖层(4)中，叉指结构的两侧露出部分掩埋式电极层(3)用于施加偏压，从而得到多光吸收层的宽光谱探测器。

6.如权利要求5所述的一种多光吸收层的宽光谱探测器的制备方法，其特征在于：步骤(b)是利用离子束溅射法、金属有机物化学气相沉积法、溶胶凝胶法、磁控溅射法或低压化学气相沉积法生长氧化锌层(2)。

7.如权利要求5所述的一种多光吸收层的宽光谱探测器的制备方法，其特征在于：步骤(e)是利用蒸镀或磁控溅射的方法沉积金属层。

8.如权利要求5所述的一种多光吸收层的宽光谱探测器的制备方法，其特征在于：步骤(g)是利用离子束溅射法、金属有机物化学气相沉积法、溶胶凝胶法、磁控溅射法或低压化学气相沉积法生长氧化镓覆盖层(4)。