[发明专利]单相AlON粉体的制备方法在审

专利信息
申请号: 202310180352.9 申请日: 2023-02-28
公开(公告)号: CN116161966A 公开(公告)日: 2023-05-26
发明(设计)人: 王军;苏学剑;原保平;匡波 申请(专利权)人: 成都光明光电有限责任公司
主分类号: C04B35/581 分类号: C04B35/581;C04B35/626
代理公司: 成都虹桥专利事务所(普通合伙) 51124 代理人: 许睿
地址: 610100 四川省成都市龙*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了单相AlON粉体的制备方法,包括以下步骤:将Al2O3粉、碳粉、AlN粉、无水乙醇按一定比例球磨均匀混合,Al2O3粉、碳粉、AlN粉与无水乙醇的质量比为(92~96):(3~7):(0.5~4):(100~200);对混合均匀的物料进行干燥,干燥后过筛;将过筛后的物料置于氮化硼坩埚中,在流动氮气气氛条件下反应得到AlON粉体。本发明对现有技术中制备AlON粉体的碳热还原氮化法进行改进,不需要后续再进行除碳步骤,只需要一步反应就能直接生产单相AlON粉体,大幅度提升了单相AlON粉体的制备效率,同时在原料粉体中也不会引入新的杂质,确保了所制得单相AlON粉体的纯度;本发明操作工艺的可控性强、单相AlON粉体性能稳定,有利于实现单相AlON粉体的量产。
搜索关键词: 单相 alon 制备 方法
【主权项】:
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