[发明专利]一种二氧化钒薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 202310170437.9 | 申请日： | 2023-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN116103613A | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 张陈斌;许磊 | 申请（专利权）人： | 无锡尚积半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35;C23C14/58;C23C14/02 |
| 代理公司： | 苏州京昀知识产权代理事务所(普通合伙) 32570 | 代理人： | 顾友 |
| 地址： | 214135 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种二氧化钒薄膜及其制备方法，涉及薄膜制备技术领域。制备方法包括：在预设真空腔体内向预设基底上溅射第一层二氧化钒，所述第一层二氧化钒的厚度为1～20nm，所述预设基底采用与二氧化钒的晶格常数的差值小于预设值的材料制成；采用第一预设条件进行第一次退火以使所述第一层二氧化钒结晶；在所述第一层二氧化钒上溅射第二层二氧化钒，所述第一层二氧化钒和所述第二层二氧化钒共同构成所述二氧化钒薄膜；采用第二预设条件进行第二次退火以使所述第二层二氧化钒结晶，得到所述二氧化钒薄膜。本发明能够得到高纯的、性能优异的VO |
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| 搜索关键词： | 一种 氧化 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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