[发明专利]一种二氧化钒薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种二氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于，包括：

在预设真空腔体内向预设基底上溅射第一层二氧化钒，所述第一层二氧化钒的厚度为1～20nm，所述预设基底采用与二氧化钒的晶格常数的差值小于预设值的材料制成；

采用第一预设条件进行第一次退火以使所述第一层二氧化钒结晶；

在所述第一层二氧化钒上溅射第二层二氧化钒；

采用第二预设条件进行第二次退火以使所述第二层二氧化钒结晶，得到所述二氧化钒薄膜。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述采用第一预设条件进行第一次退火包括：

将所述预设基底的温度升高至第一预设温度，并向所述预设真空腔体内充入预设流量的二氧化硫气体。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述第一预设温度为300～400℃；和/或，

所述预设流量为1～5sccm/min。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述预设基底采用三氧化二铝或氮化硅或二氧化硅或硅制成。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在预设真空腔体内向预设基底上溅射第一层二氧化钒包括：

在真空度为(1～10)×10^-8mTorr的预设真空腔体内，采用100～300w溅射功率的向温度为200～400℃的预设基底上溅射第一层二氧化钒，同时向所述预设真空腔体通入流量为20～40sccm/min的惰性气体，溅射时间为50～150s。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第一层二氧化钒上溅射第二层二氧化钒包括：

在真空度为(1～10)×10^-8Torr的预设真空腔体内，采用100～300w溅射功率的向温度为200～400℃的预设基底上溅射第二层二氧化钒层，同时向所述预设真空腔体通入流量为20～40sccm/min的惰性气体，溅射时间为1500～3500s。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述预设基底的温度在所述第二次退火时及溅射所述第二层二氧化钒时相同，所述第二次退火时以及溅射所述第二层二氧化钒时向所述预设真空腔体内通入惰性气体，且所述第二次退火通入的惰性气体的流量小于溅射所述第二层二氧化钒时通入的惰性气体的流量。

8.根据权利要求5、6或7所述的制备方法，其特征在于，所述惰性气体包括氩气。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述预设基底的温度在溅射所述第一层二氧化钒时小于溅射所述第二层二氧化钒时。

10.一种二氧化钒薄膜，其特征在于，所述二氧化钒薄膜采用权利要求1～9任一项所述的制备方法制备得到，所述二氧化钒薄膜包括第一层二氧化钒和第二层二氧化钒，所述第一层二氧化钒的厚度为1～20nm。