[发明专利]绝缘体上III-V族半导体集成光子器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202310161511.0 | 申请日： | 2023-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN116125595A | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 赵前程;李毅;程炜仁;杨亚涛 | 申请（专利权）人： | 南方科技大学 |
| 主分类号： | G02B6/13 | 分类号： | G02B6/13;G02B6/132;G02B6/136;G02B6/122;G02B6/12 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 吕露 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种绝缘体上III‑V族半导体集成光子器件及其制备方法，属于半导体技术领域。绝缘体上III‑V族半导体集成光子器件的制备方法包括：在第一晶片上生长基于III‑V族半导体材料的外延层，对外延层进行图案化处理形成微纳图案，以得到图案化后的光波导器件层；在光波导器件层上沉积第一光学介质层作为波导器件的包层；将第一光学介质层与第二晶片进行键合形成异质集成晶片。先对外延生长的III‑V族半导体材料外延层进行图案化处理形成光波导器件层，然后再进行键合处理，可以避免后续的键合操作对外延层的图案化处理产生影响，进而能够提高异质集成晶片上光波导器件的成品率，提高异质集成晶片上光波导器件的集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘体 iii 半导体 集成 光子 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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