[发明专利]一种同质外延单晶金刚石的制备方法在审
| 申请号： | 202310153248.0 | 申请日： | 2023-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN116288699A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 王垒 | 申请（专利权）人： | 上海晶世创新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/20 | 分类号： | C30B25/20;C30B29/04 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 金彦;许亦琳 |
| 地址： | 201611 上海市松江*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种同质外延单晶金刚石的制备方法，将一个以上生长单元通过化学气相沉积的方法生长，所述生长单元包括矩形阵列排列的多个金刚石籽晶，位于矩形阵列中心的金刚石籽晶比其余金刚石籽晶高0.02～0.9mm。本发明制备方法一次性外延率高，一次生长外延面积更大，能够获得大尺寸的单晶金刚石。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 同质 外延 金刚石 制备 方法 | ||
【主权项】：
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