[发明专利]具有鳍结构的开关器件、逻辑或非门电路及其制备方法在审
| 申请号： | 202310097764.6 | 申请日： | 2023-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN116031162A | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 赵文杰;莫炯炯;王志宇;郁发新 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 卢炳琼 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种具有鳍结构的开关器件的制备方法，包括步骤：S1：准备基底；S2：进行离子注入，以制备出间隔的源极欧姆接触区和漏极欧姆接触区；S3：去除部分位于栅极下方的势垒层；S4：形成覆盖势垒层的栅极材料层；S5：对栅极材料层进行刻蚀，由此形成具有初始形貌的栅极；S6：形成鳍结构，栅极位于鳍结构上；S7：形成覆盖鳍结构的钝化层；S8：形成分别与源极欧姆接触区、漏极欧姆接触区及栅极电连接的引出电极。本发明可在无外加电压的情况下保持器件的常关，利用鳍结构实现较好的栅控能力，有效利用了基底面积，缩小器件尺寸。此外利用了离子注入工艺形成较低的欧姆接触电阻，可降低器件工作能耗、提高器件性能和生产良率。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 结构 开关 器件 逻辑 非门 电路 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学，未经浙江大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310097764.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
