[发明专利]MOS晶体管在审
| 申请号： | 202310084558.1 | 申请日： | 2023-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN115881824A | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | 刘翔 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08 |
| 代理公司： | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人： | 刘婧 |
| 地址： | 510700 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请提供一种MOS晶体管，包括衬底、栅介质层、栅极结构、第一侧壁隔离层、第一侧壁氧化层、源极区和漏极区，衬底具有间隔设置的漂移区；栅介质层设置于衬底上，且位于间隔设置的漂移区上；栅极结构设置于栅介质层上，栅极结构包括间隔设置的栅电极和非工作电极，非工作电极位于栅电极的两侧；第一侧壁隔离层设置于栅电极与非工作电极之间；第一侧壁氧化层设置于非工作电极远离第一侧壁隔离层的一侧以及栅介质层的一侧，并位于衬底上；源极区和漏极区分别设置于第一侧壁氧化层远离栅电极的一侧，且位于漂移区上，源极区和漏极区与第一侧壁氧化层不重叠，源极区和漏极区与第一侧壁氧化层接触，以提高晶体管的耐压性能。 | ||
| 搜索关键词： | mos 晶体管 | ||
【主权项】：
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