[发明专利]MOS晶体管

权利要求书

1.一种MOS晶体管，其特征在于，包括：

衬底，具有间隔设置的漂移区；

栅介质层，设置于所述衬底上，且位于间隔设置的所述漂移区上；

栅极结构，设置于所述栅介质层上，所述栅极结构包括间隔设置的栅电极和非工作电极，所述非工作电极位于所述栅电极的两侧；

第一侧壁隔离层，设置于所述栅电极与所述非工作电极之间；

第一侧壁氧化层，设置于所述非工作电极远离所述第一侧壁隔离层的一侧以及所述栅介质层的一侧，且位于所述衬底上；以及

源极区和漏极区，分别设置于所述第一侧壁氧化层远离所述栅电极的一侧，且位于所述漂移区上，所述源极区和漏极区与所述第一侧壁氧化层不重叠，所述源极区和漏极区与所述第一侧壁氧化层接触。

2.根据权利要求1所述的MOS晶体管，其特征在于，所述第一侧壁氧化层以及所述第一侧壁隔离层均位于所述栅介质层上。

3.根据权利要求2所述的MOS晶体管，其特征在于，所述MOS晶体管还包括第二侧壁隔离层，设置于所述漂移区上，且位于所述第一侧壁氧化层远离所述栅电极的一侧，所述源极区和漏极区与所述第二侧壁隔离层不重叠，所述源极区和漏极区与所述第二侧壁隔离层接触。

4.根据权利要求3所述的MOS晶体管，其特征在于，所述第一侧壁隔离层以及所述第二侧壁隔离层的材料与所述第一侧壁氧化层的材料均为绝缘材料，所述第一侧壁隔离层以及所述第二侧壁隔离层的材料与所述第一侧壁氧化层的材料不同。

5.根据权利要求4所述的MOS晶体管，其特征在于，所述MOS晶体管还包括第二侧壁氧化层，所述第二侧壁氧化层设置于所述栅电极与所述非工作电极之间，所述第二侧壁氧化层位于所述第一侧壁隔离层与所述栅介质层之间。

6.根据权利要求5所述的MOS晶体管，其特征在于，所述MOS晶体管还包括第一CoSi层，所述第一CoSi层设置于所述源极区以及所述漏极区远离所述漂移区的一侧，且所述第一CoSi层与所述第二侧壁隔离层不重叠，所述第一CoSi层与所述第二侧壁隔离层接触。

7.根据权利要求6所述的MOS晶体管，其特征在于，所述MOS晶体管还包括第一导体连接部，所述第一导体连接部位于所述第一CoSi层远离所述漂移区的一侧，且与所述第一CoSi层连接。

8.根据权利要求7所述的MOS晶体管，其特征在于，所述MOS晶体管还包括第二CoSi层，所述第二CoSi层设置于所述栅电极远离所述漂移区的一侧。

9.根据权利要求8所述的MOS晶体管，其特征在于，所述MOS晶体管还包括第二导体连接部，所述第二导体连接部位于所述第二CoSi层远离所述漂移区的一侧，且与所述第二CoSi层连接。

10.根据权利要求9所述的MOS晶体管，其特征在于，所述第一侧壁氧化层的材料与所述第二侧壁氧化层的材料相同。