[发明专利]层状结构在审
| 申请号： | 202310084026.8 | 申请日： | 2023-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN116525648A | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | R·哈蒙德;A·克拉克;R·佩尔策尔 | 申请（专利权）人： | IQE公开有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 宋岩 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了层状结构。一种制造层状结构的方法，包括在基板上生长外延层，外延层在邻近基板处具有第一电阻率并且在远离基板处具有第二电阻率(小于第一电阻率)。使外延层孔化以形成多孔层，多孔层在邻近基板处具有30％的孔隙率并且在远离基板处具有≤25％的孔隙率。在多孔层上方外延生长半导体(沟道)层。另外一种层状结构，包括：基板；多孔层；以及外延半导体(沟道)层。多孔层在邻近基板处具有＞30％的第一孔隙率并且在与半导体层相邻处具有≤25％的第二孔隙率。可以针对不同的功能优化两种不同的孔隙率。较高的孔隙率在使沟道与基板绝缘方面是有效的。较低的孔隙率提供了具有露出的单晶取向的晶体结构，其支持包括高质量、低缺陷、外延生长的沟道层。 | ||
| 搜索关键词： | 层状 结构 | ||
【主权项】：
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