[发明专利]氮化物PN结肖特基二极管及制备方法在审

专利信息
申请号: 202310080426.1 申请日: 2023-02-06
公开(公告)号: CN116153965A 公开(公告)日: 2023-05-23
发明(设计)人: 薛军帅;李泽辉;吴冠霖;袁金渊;郭壮;李祖懋;张进成;郝跃 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06;H01L29/20;H01L29/872;H01L21/329
代理公司: 陕西电子工业专利中心 61205 代理人: 王品华
地址: 710071*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种氮化物PN结肖特基二极管,主要解决现有垂直型氮化物肖特基二极管击穿电压低的问题。其自下而上包括阴极(5)、衬底(1)、n+AlxGa1‑xN传输层(2)、钪钇铝氮/氮化镓叠层结构(3)、钪钇铝氮/氮化铝叠层结构(4)及阳极(6)。这两个叠层结构(3,4)中的氮化物材料与钪钇铝氮材料依次周期性生长,每层钪钇铝氮厚度为3nm‑50nm,组分保持不变,两者的总厚度和周期相同或不同,且整体钪组分为0%‑35%,钇组分为0%‑25%。本发明利用氮化物材料极化效应形成垂直PN结,利用ScYAlN铁电极化效应提高反向耐压,降低了反向漏电,提高了击穿电压,可用于微波整流和功率开关电路。
搜索关键词: 氮化物 pn 结肖特基 二极管 制备 方法
【主权项】:
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