[发明专利]一种通过体散热设计的GaN基二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202310074647.8 | 申请日： | 2023-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN116314257A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 汪福进;白俊春;程斌;贾永 | 申请（专利权）人： | 江苏芯港半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/205;H01L21/329;H01L29/88 |
| 代理公司： | 西安百鼎知识产权代理事务所(普通合伙) 61295 | 代理人： | 魏磊 |
| 地址： | 221200 江苏省徐州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种通过体散热设计的GaN基二极管及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：一、外延材料生长；二、沉积凹槽制作；三、凹槽内材料生长；四、表面材料磨平；五、阴极制作；六、阳极制作。其能够有效降低n |
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| 搜索关键词： | 一种 通过 散热 设计 gan 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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