[发明专利]分离三维拓扑绝缘体锑化碲上下表面态光致反常霍尔电流的方法在审
| 申请号： | 202310074046.7 | 申请日： | 2023-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN116106351A | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 俞金玲;稂新杰;程树英 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | G01N23/2273 | 分类号： | G01N23/2273;G01N23/2202;G01R19/00;H10N52/01;H10N52/00;H10N52/80;G01N21/17 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 丘鸿超;蔡学俊 |
| 地址： | 350108 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提出一种分离三维拓扑绝缘体锑化碲薄膜上下表面态光致反常霍尔电流的方法，该方法利用1064纳米波长的圆偏振光在室温下垂直入射在施加了横向电场的三维拓扑绝缘体锑化碲薄膜上，以诱导光致反常霍尔电流。通过电动平移台使光斑沿着锑化碲薄膜的正方形电极连线的垂直平分线移动，获得了锑化碲薄膜中光致反常霍尔电流与光斑位置的变化曲线，提出了一种分离上下表面态光致反常霍尔电流的理论模型。利用该理论模型中提出的公式拟合得到了锑化碲薄膜的上表面态和下表面态的光致反常霍尔电流的空间分布。本发明直接高效，简单易行，成本低廉，有利于在实际应用中的推广。 | ||
| 搜索关键词： | 分离 三维 拓扑 绝缘体 锑化碲 上下 表面 态光致 反常 霍尔 电流 方法 | ||
【主权项】：
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