[发明专利]一种具有各向异性电学性能的碳化硅压敏陶瓷及其制备方法在审
| 申请号： | 202310068327.1 | 申请日： | 2023-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN116161962A | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 陈健;祝明;黄政仁;朱云洲;李凡凡;黄常聪 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B35/622;C04B35/80 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有各向异性电学性能的碳化硅压敏陶瓷及其制备方法，所述具有各向异性电学性能的碳化硅压敏陶瓷包括：SiC基体、弥散于SiC基体中的导电相填料碳纳米管以及促进材料致密化的烧结助剂B源和C源；各组分之和按照质量分数100wt％计，所述SiC基体的质量分数为96.4～97.9wt％，碳纳米管的质量分数为0.5～2wt％，B源的质量分数为0.2～1wt％，C源的质量分数为0.6～1.4wt％。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 各向异性 电学 性能 碳化硅 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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