[发明专利]一种多功能高温反应装置及其在SiC MOSFET制备中的应用有效
| 申请号： | 202310065447.6 | 申请日： | 2023-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN115831702B | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 林政勋;郭轲科 | 申请（专利权）人： | 江苏邑文微电子科技有限公司;无锡邑文电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/306;C30B33/04;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 张洋 |
| 地址： | 226400 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明提供一种多功能高温反应装置及其在SiC MOSFET制备中的应用，涉及半导体技术领域。多功能高温反应装置包括依次连通的气源、横向等离子体发生室、卧式高温反应腔室和真空模块，其中，横向等离子体发生室包括腔体、感应线圈和过滤装置，腔体两端分别开设有沿横向布置的进气口和出气口；感应线圈设置于腔体上、且靠近进气口一侧；过滤装置安装在腔体内、靠近出气口一侧，过滤装置包括至少一层开设有过滤孔的金属过滤板，能够过滤等离子体中的离子，提高对于带电离子的过滤效果，从而减少到达SiC晶片表面进行氧化反应的等离子体中的带电离子，制备缺陷少、态密度低的SiC/SiO |
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| 搜索关键词： | 一种 多功能 高温 反应 装置 及其 sic mosfet 制备 中的 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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