[发明专利]一种蓝宝石衬底的GaN HEMT器件及共源共栅结构在审
| 申请号： | 202310052768.2 | 申请日： | 2023-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN115863425A | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 宋亮;朱廷刚;李亦衡 | 申请（专利权）人： | 江苏能华微电子科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/10;H01L23/367;H01L23/373 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 王爱涛 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种蓝宝石衬底的GaN HEMT器件及共源共栅结构，涉及GaN HEMT器件技术领域，所述蓝宝石衬底的GaN HEMT器件，包括：由上向下依次设置的蓝宝石衬底、GaN HEMT层和电极层；所述电极层包括源极、栅极和漏极。本发明可以实现GaN HEMT器件的高效散热。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 蓝宝石 衬底 gan hemt 器件 共源共栅 结构 | ||
【主权项】：
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