[发明专利]一种具有大层间距的寡层石墨烯及其低温快速制备方法和应用在审
申请号: | 202310049960.6 | 申请日: | 2023-02-01 |
公开(公告)号: | CN116022780A | 公开(公告)日: | 2023-04-28 |
发明(设计)人: | 闫俊;秦蒙;王倩 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工程大学 |
主分类号: | C01B32/19 | 分类号: | C01B32/19;B82Y30/00;B82Y40/00;H01M4/587;H01M10/0525 |
代理公司: | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人: | 姜欢欢 |
地址: | 150000 黑龙江*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | 一种具有大层间距的寡层石墨烯及其低温快速制备方法和应用。本发明属于石墨烯材料制备领域。本发明的目的是为了解决现有高温还原GO需要较高的温度、能耗较大以及现有低温还原GO耗时较长、且所得石墨烯层间距不大的技术问题。本发明以Hummers法制备的GO分散液为原料,经干燥和低温微爆处理,得到具有大层间距的寡层石墨烯。进一步热处理后得到高还原度的石墨烯,将其应用于钾离子电池负极材料领域,具有优异的储钾性能、高结构稳定性以及有效缓冲电化学反应过程中体积膨胀的显著优势。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 间距 石墨 及其 低温 快速 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
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