[发明专利]一种光罩的制作方法及所制得光罩的应用在审
申请号: | 202310047553.1 | 申请日: | 2023-01-31 |
公开(公告)号: | CN116027629A | 公开(公告)日: | 2023-04-28 |
发明(设计)人: | 冯磊;黄胜蓝;季辉 | 申请(专利权)人: | 湘能华磊光电股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/68 | 分类号: | G03F1/68;G03F7/20 |
代理公司: | 长沙七源专利代理事务所(普通合伙) 43214 | 代理人: | 周晓艳;蔡实艳 |
地址: | 423038 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明提供了一种光罩的制作方法及所制得光罩的应用,该制作方法包括步骤S1、将所述光罩划分为透光区域和不透光区域,二者间通过设置在所述光罩上的框架分隔开;所述透光区域设置在所述框架内,而所述不透光区域设置在所述框架外;步骤S2、在所述透光区域内设置不透光的第一图形和第二图形;所述第一图形的数量为多个,且间隔布设在所述透光区域内的中部;所述第二图形的数量为多个,且环向间隔设置在所有第一图形的外部;所述第二图形的宽度尺寸小于所述第一图形的宽度尺寸。该应用是将所述制作方法制得的光罩在生产图形化衬底方面的应用。本发明能够解决因曝光区域拼接处曝光能量不足带来的曝光视场边缘图形形变,成品率降低的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 制作方法 应用 | ||
【主权项】:
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备