[发明专利]一种光罩的制作方法及所制得光罩的应用在审
申请号: | 202310047553.1 | 申请日: | 2023-01-31 |
公开(公告)号: | CN116027629A | 公开(公告)日: | 2023-04-28 |
发明(设计)人: | 冯磊;黄胜蓝;季辉 | 申请(专利权)人: | 湘能华磊光电股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/68 | 分类号: | G03F1/68;G03F7/20 |
代理公司: | 长沙七源专利代理事务所(普通合伙) 43214 | 代理人: | 周晓艳;蔡实艳 |
地址: | 423038 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 制作方法 应用 | ||
1.一种光罩的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤S1、将所述光罩划分为透光区域和不透光区域,二者间通过设置在所述光罩上的框架分隔开;所述透光区域设置在所述框架内,而所述不透光区域设置在所述框架外;
步骤S2、在所述透光区域内设置不透光的第一图形和第二图形;所述第一图形的数量为多个,且间隔布设在所述透光区域内的中部;所述第二图形的数量为多个,且环向间隔设置在所有第一图形的外部;所述第二图形的宽度尺寸小于所述第一图形的宽度尺寸。
2.根据权利要求1所述的光罩的制作方法,其特征在于,在步骤S2中,令所述第一图形的宽度尺寸为D1,所述第二图形的宽度尺寸为D2,所述D1与D2满足关系式D2=Y·D1,其中,Y表示系数,其取值小于1;采用黄光工艺调控系数Y的取值范围为0.92-0.97。
3.根据权利要求2所述的光罩的制作方法,其特征在于,所述黄光工艺调控过程如下:
步骤S2.1、确认黄光制程工艺窗口,采用曝光工艺参数曝光第一图形,获得第一图形的宽度尺寸为D1微米;所述曝光工艺参数包括曝光时间为175-190ms,曝光焦距为-0.2-0.2微米;
步骤S2.2、更新曝光时间,对第二图形进行单shot曝光,获得第二图形的宽度尺寸为D2微米;显影后采用扫描电镜测量D2,并用显微镜观察单shot曝光的颜色变化;
步骤S2.3、若颜色变化存在色差,则再次更新曝光时间重复步骤S2.2,直至颜色变化无色差为止;此时,计算D2与D1的比值,即获得系数Y的取值范围为0.92-0.97。
4.根据权利要求3所述的光罩的制作方法,其特征在于,所述曝光时间的更新范围是185-190ms。
5.根据权利要求1所述的光罩的制作方法,其特征在于,所述透光区域为矩形区域。
6.根据权利要求2-5任意一项所述的光罩的制作方法,其特征在于,所述第一图形的形状和第二图形的形状均包括圆形、三角形和多边形中的至少一种。
7.根据权利要求6所述的光罩的制作方法,其特征在于,所述第一图形的形状和所述第二图形的形状均为圆形,且相邻圆形间的圆心距相同。
8.根据权利要求7所述的光罩的制作方法,其特征在于,所述圆形的宽度尺寸与所述圆心距间的比值为K,所述K的取值范围为2:1-3:1。
9.一种采用如权利要求8所述的光罩的制作方法所制得的光罩在生产图形化衬底方面的应用。
10.根据权利要求9所述的光罩在生产图形化衬底方面的应用,其特征在于,所述图形化衬底上的单元图案的几何中心间距为W,与所述光罩适配的光刻机的投影倍率为X,定义所述透光区域内相邻圆形间的圆心距为D3,所述D3=W·X;
所述D1=(K/(K+1))·W·X。
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G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
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