[发明专利]高压GaN MIS-HEMT器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202310045518.6 | 申请日： | 2023-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN115985949A | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 冯旺;周国;付兴中;谭永亮;秦龙;张晓磊;安国雨;刘相伍;刘育青;李雪荣;邵欣欣;张洋阳 | 申请（专利权）人： | 北京国联万众半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/06;H01L29/20;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 石家庄轻拓知识产权代理事务所(普通合伙) 13128 | 代理人： | 黄辉本 |
| 地址： | 101300 北京市顺义*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高压GaN MIS‑HEMT器件及其制备方法，包括如下步骤：制备无栅场板的GaN MIS‑HEMT器件；在无栅场板的GaN MIS‑HEMT器件上制备第一层栅场板；在具有第一层栅场板的GaN MIS‑HEMT器件表面依次淀积第一钝化介质层与第二钝化介质层；在刻蚀预留出的第二层栅场板位置处制备制备第二层栅场板，并在第二层栅场板上制备第三层栅场板；在器件表面淀积第三钝化介质层；在通过刻蚀预留出来的第四层栅场板对应的第三钝化介质层上形成第四层栅场板设置位置，在所述第四层栅场板设置位置内制备第四层栅场板，并在所述第四层栅场板的上侧形成第五层栅场板。所述方法工艺流程简洁，并且可提高击穿电压以及器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 gan mis hemt 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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