[发明专利]一种闪存修复的方法及装置在审
| 申请号： | 202310038695.1 | 申请日： | 2023-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN116013391A | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 高会阁 | 申请（专利权）人： | 普冉半导体（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00 |
| 代理公司： | 上海硕力知识产权代理事务所(普通合伙) 31251 | 代理人： | 童素珠 |
| 地址： | 201210 上海市浦东新区申*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种闪存修复方法及装置，方法包括：将预设数据写入芯片中的各个存储单元中，每个存储单元对应一个单元地址；按照顺序依次从若干个所述单元地址中选择一个目标单元地址，并从所述目标单元地址对应的目标存储单元中读取数据；将读取到的数据与所述预设数据进行比较；当读取到的数据与所述预设数据不同时，进入修复模式；所述修复模式包括并行修复模式和单一修复模式；在所述修复模式下，根据所述目标单元地址对所述目标存储单元进行修复。本发明能够同时对损坏的存储单元及其相邻存储进行修复，有利于提高数据的安全性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 闪存 修复 方法 装置 | ||
【主权项】：
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