[发明专利]一种闪存修复的方法及装置

权利要求书

1.一种闪存修复的方法，其特征在于，包括：

将预设数据写入芯片中的各个存储单元中，每个所述存储单元对应一个单元地址；

按照顺序依次从若干个所述单元地址中选择一个目标单元地址，并从所述目标单元地址对应的目标存储单元中读取数据；

将读取到的数据与所述预设数据进行比较；

当读取到的数据与所述预设数据不同时，进入修复模式；所述修复模式包括并行修复模式和单一修复模式；

在所述修复模式下，根据所述目标单元地址对所述目标存储单元进行修复。

2.根据权利要求1所述一种闪存修复的方法，其特征在于，所述的当读取到的数据与所述预设数据不同时，进入修复模式，包括：

获取所述目标存储单元以及所述目标存储单元相邻存储单元的漏电流；

当所述漏电流均大于预设电流值时，进入并行修复模式；否则，进入单一修复模式。

3.根据权利要求2所述一种闪存修复的方法，其特征在于，所述的在修复模式下，根据所述目标单元地址对所述目标存储单元进行修复，包括：

当所述修复模式为并行修复模式时，将所述目标单元地址作为错误地址分别写入所述目标存储单元以及所述目标存储单元的相邻存储单元对应的第一寄存器和第二寄存器；

若所述目标单元地址为所述芯片中的最后一个单元地址，统计所述错误地址的数量；

若所述错误地址的数量未超过冗余存储单元的数量，则在闪存读写时，根据所述第一寄存器和所述第二寄存器中的错误地址，调用所述错误地址对应的冗余存储单元代替所述目标存储单元以及所述目标存储单元的相邻存储单元进行数据擦写。

4.根据权利要求2所述一种闪存修复的方法，其特征在于，所述的在修复模式下，根据所述目标单元地址对所述目标存储单元进行修复，包括：

当修复模式为单一修复模式时，将所述目标单元地址作为错误地址写入目标存储单元对应的第一寄存器；

若所述目标单元地址为所述芯片中的最后一个单元地址，统计所述错误地址的数量；

若所述错误地址的数量未超过冗余存储单元的数量，则在闪存读写时，根据所述第一寄存器中的所述错误地址，调用所述错误地址对应的冗余存储单元代替所述目标存储单元进行数据擦写。

5.根据权利要求1所述一种闪存修复的方法，其特征在于，所述的将读取到的数据与所述预设数据进行比较之后，还包括：

当读取到的数据与所述预设数据相同时，若所述目标单元地址为所述芯片中的最后一个单元地址，则不进行修复。

6.根据权利要求3或4所述一种闪存修复的方法，其特征在于，所述的若所述目标单元地址为所述芯片中的最后一个单元地址，判断所述错误地址的数量是否超过冗余存储单元的数量之后，还包括：

若判断为是，则将闪存作为失效品进行筛除。

7.一种闪存修复的装置，其特征在于，包括：

写入模块，用于将预设数据写入芯片中的各个存储单元中，每个所述存储单元对应一个单元地址；

读取模块，用于按照顺序依次从若干个所述单元地址中选择一个目标单元地址，并从所述目标单元地址对应的目标存储单元中读取数据；

比较模块，用于将读取到的数据与所述预设数据进行比较；

修复模块，用于当读取到的数据与所述预设数据不同时，进入修复模式；所述修复模式包括并行修复模式和单一修复模式；在所述修复模式下，根据所述目标单元地址对所述目标存储单元进行修复。

8.根据权利要求7所述一种闪存修复的装置，其特征在于，所述修复模块，包括：

获取单元，用于获取所述目标存储单元以及所述目标存储单元相邻存储单元的漏电流；

比较单元，用于将所述漏电流与预设电流值进行比较；当所述漏电流均大于所述预设电流值时，进入并行修复模式；否则，进入单一修复模式。