[发明专利]一种闪存修复的方法及装置

说明书

本发明公开了一种闪存修复方法及装置，方法包括：将预设数据写入芯片中的各个存储单元中，每个存储单元对应一个单元地址；按照顺序依次从若干个所述单元地址中选择一个目标单元地址，并从所述目标单元地址对应的目标存储单元中读取数据；将读取到的数据与所述预设数据进行比较；当读取到的数据与所述预设数据不同时，进入修复模式；所述修复模式包括并行修复模式和单一修复模式；在所述修复模式下，根据所述目标单元地址对所述目标存储单元进行修复。本发明能够同时对损坏的存储单元及其相邻存储进行修复，有利于提高数据的安全性和可靠性。

技术领域

本发明涉及半导体电路技术领域，尤其涉及一种闪存修复的方法及装置。

背景技术

在闪存芯片制造中，存储单元会受到制造工艺的影响从而导致个别的存储单元有损坏。而两个相邻的存储单元可能存在一个损坏而另一个只损伤一点的情况，随着对闪存芯片多次擦写后，损伤一点的存储单元也会损坏，从而影响闪存芯片内部数据的安全和可靠性；另外，由于闪存修复的过程通常在芯片出厂前进行，出厂后无法再对损坏的芯片进行修复，导致闪存芯片的寿命减少。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明提供一种闪存修复的方法及装置。

具体的，本发明的技术方案如下：

一方面，本发明提供一种闪存修复的方法，包括：

将预设数据写入芯片中的各个存储单元中，每个所述存储单元对应一个单元地址；

按照顺序依次从若干个所述单元地址中选择一个目标单元地址，并从所述目标单元地址对应的目标存储单元中读取数据；

将读取到的数据与所述预设数据进行比较；

当读取到的数据与所述预设数据不同时，进入修复模式；所述修复模式包括并行修复模式和单一修复模式；

在所述修复模式下，根据所述目标单元地址对所述目标存储单元进行修复。

在一些实施方式中，所述的当读取到的数据与所述预设数据不同时，进入修复模式，包括：获取所述目标存储单元以及所述目标存储单元相邻存储单元的漏电流；当所述漏电流均大于预设电流值时，进入并行修复模式；否则，进入单一修复模式。

在一些实施方式中，所述的在修复模式下，根据所述目标单元地址对所述目标存储单元进行修复，包括：

当所述修复模式为并行修复模式时，将所述目标单元地址作为错误地址

分别写入所述目标存储单元以及所述目标存储单元的相邻存储单元对应的第一寄存器和第二寄存器；

若所述目标单元地址为所述芯片中的最后一个单元地址，统计所述错误地址的数量；

若所述错误地址的数量未超过冗余存储单元的数量，则在闪存读写时，根据所述第一寄存器和所述第二寄存器中的错误地址，调用所述错误地址对应的冗余存储单元代替所述目标存储单元以及所述目标存储单元的相邻存储单元进行数据擦写。

在一些实施方式中，所述的在修复模式下，根据所述目标单元地址对所述目标存储单元进行修复，包括：

当修复模式为单一修复模式时，将所述目标单元地址作为错误地址写入目标存储单元对应的第一寄存器；

若所述目标单元地址为所述芯片中的最后一个单元地址，统计所述错误地址的数量；

若所述错误地址的数量未超过冗余存储单元的数量，则在闪存读写时，根据所述第一寄存器中的所述错误地址，调用所述错误地址对应的冗余存储单元代替所述目标存储单元进行数据擦写。

在一些实施方式中，所述的将读取到的数据与所述预设数据进行比较之后，还包括：