[发明专利]磁隧道结单元、磁存储单元以及存储器在审
| 申请号： | 202310027053.1 | 申请日： | 2023-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN116056550A | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 张洪超;吕术勤;王乐;刘宏喜;曹凯华;王戈飞 | 申请（专利权）人： | 致真存储（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H10N50/10 | 分类号： | H10N50/10;H10B61/00 |
| 代理公司： | 北京墨丘知识产权代理事务所(普通合伙) 11878 | 代理人： | 魏梳芳 |
| 地址： | 100088 北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种磁隧道结单元、磁存储单元以及存储器，涉及磁性电子器件技术领域。本发明的磁隧道结单元，包括依次堆叠的自旋轨道转矩层、翻转场提供层、插入层、自由层、隧穿层势垒层和参考层。其中，翻转场提供层为磁性膜，通过改变磁性膜材料改变翻转场提供层的磁矩方向；翻转场提供层打破自由层磁矩的反演对称性，对磁隧道结单元施加电压，自由层的磁矩在电压和翻转场提供层的辅助下发生翻转。通过不同磁矩方向的翻转场提供层来辅助存储器件实现无场翻转。可以适用于晶圆尺寸且膜层制备简单，通过翻转场提供层减小工作电流，降低功耗。同时，在翻转场提供层与自由层之间加入非磁性材料作为插入层，在降低分流的同时可以起到阻挡扩散的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 隧道 单元 存储 以及 存储器 | ||
【主权项】：
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