[发明专利]一种LDMOS器件制作方法在审
| 申请号： | 202310024795.9 | 申请日： | 2023-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN116313760A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 叶蕾;王峰;胡林辉 | 申请（专利权）人： | 上海积塔半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区中国上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种LDMOS器件制作方法，在主栅极的旁边漂移区上方形成多个虚拟栅极，并且将虚拟栅极之间的间隔距离设置为小于栅极侧墙宽度的两倍，由此，在形成栅极侧墙时保证栅极侧墙能够填充相邻虚拟栅极之间的间隙，使得虚拟栅极之间的间隙被完全覆盖。然后基于主栅极及虚拟栅极和栅极侧墙进行源漏区离子注入，由此源漏区离子注入完全实现自对准，无需额外的掩膜版，降低了工艺复杂程度，同时降低了源漏极离子注入对CDU/OVL的依赖性，提高了器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ldmos 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
