[发明专利]一种桥式结构空气沟道二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202310017315.6 | 申请日： | 2023-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN115842059A | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 李沫;黄瑞涵;张健;陈飞良;赵海全;魏亚洲 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/329;H01L29/06;B82Y10/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 闫树平 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术与微纳真空电子技术领域，具体为一种桥式结构空气沟道二极管及其制备方法。包括衬底以及设置在衬底上表面的第一金属层、第二金属层和电极结构；所述电极结构位于第一金属层和第二金属层之间；包括下电极和桥式上电极；桥式上电极采用能够在外加电压下发生弹性形变的导电材料制成，同轴套设于下电极外，并与下电极之间留有空隙以形成空气沟道。该二极管具有阈值电压低、无绝缘介质支撑、电极重合面积小、极间电容低、空气沟道尺寸可动态调谐等优点，其制备过程不依赖高昂纳米加工设备、可以批量制备的垂直结构纳米空气沟道二极管的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结构 空气 沟道 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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