[发明专利]钙钛矿薄膜、其制备方法及钙钛矿光电器件在审
| 申请号： | 202310010907.5 | 申请日： | 2023-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN115835744A | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 高鹏;禄小霞;周超成;田清勇;范斌 | 申请（专利权）人： | 昆山协鑫光电材料有限公司 |
| 主分类号： | H10K71/12 | 分类号： | H10K71/12;H10K71/15;H10K71/40;H10K85/50;H10K30/50 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 赵世发 |
| 地址： | 215300 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种钙钛矿薄膜、其制备方法及钙钛矿光电器件。所述制备方法包括：提供前驱体溶液，前驱体溶液包含钙钛矿前驱体以及选定溶剂，选定溶剂包括γ‑丁内酯、δ‑戊内酯、γ‑戊内酯、1，3‑二甲基‑2‑咪唑啉酮、二甲基亚砜中的任意一种或两种及以上的组合，利用前驱体溶液通过溶液法制备薄膜前体，并对薄膜前体进行后处理形成钙钛矿薄膜。本发明所提供的制备方法有效避免了大量有毒溶剂对人员健康和生态环境的危害，更适合大面积制备下钙钛矿太阳电池产业化的绿色生产，并且制得的金属卤化物钙钛矿薄膜具有更高的晶体质量、相转变充分、相纯度高，钙钛矿薄膜荧光性能更好，并具有更优异的光伏性能和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 钙钛矿 薄膜 制备 方法 光电 器件 | ||
【主权项】：
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