[发明专利]一种有机溶液辅助的晶圆级过渡金属硫化物的生长方法有效
| 申请号： | 202310008003.9 | 申请日： | 2023-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN116005262B | 公开（公告）日： | 2023-08-04 |
| 发明（设计）人： | 张跃;刘一禾;张铮;张先坤;于慧慧;高丽;李瑞山;姜鹤 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B19/00 |
| 代理公司： | 北京盛询知识产权代理有限公司 11901 | 代理人： | 李茜茜 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种有机溶液辅助的晶圆级过渡金属硫化物的生长方法，涉及晶圆级过渡金属硫化物制备技术领域。方法包括以下步骤：将过渡族金属源与有机黏着剂溶于溶剂中，得到溶液；将所述溶液涂覆于基底表面后烘干，得到前驱体；将所述前驱体在含有VIA族元素反应源的气氛中进行退火处理，得到晶圆级过渡金属硫化物。本发明克服MOCVD生长晶圆级多层TMDCs材料的限制以及过渡金属源选择性的问题，提供了一个绿色、低成本、适用范围广、重复性高的层数可控的晶圆级二维TMDCs材料合成策略。相对于MOCVD方法，本发明有机溶液辅助的晶圆级过渡金属硫化物的生长方法(OACVD)更适用于生长单层至多层不同厚度的TMDCs材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有机 溶液 辅助 晶圆级 过渡 金属 硫化物 生长 方法 | ||
【主权项】：
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