[实用新型]一种便于晶圆蚀刻的清洗花篮有效
申请号: | 202223606407.8 | 申请日: | 2022-12-30 |
公开(公告)号: | CN219321312U | 公开(公告)日: | 2023-07-07 |
发明(设计)人: | 袁黔云 | 申请(专利权)人: | 广东迈捷微新材料有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L21/67 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 523000 广东省东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种便于晶圆蚀刻的清洗花篮,包括清洗花篮,所述清洗花篮中部镂空,前后两侧边设有多个对称的晶圆放置槽,所述晶圆放置槽从左到右等距分布,所述晶圆放置槽内容纳有晶圆,所述晶圆可在晶圆放置槽内自由转动。本实用新型通过设置的清洗花篮,其外形尺寸能完美契合2寸产线,通过其上设置的晶圆放置槽容纳1寸晶圆,能利用现有设备2寸线加工1寸线,完美契合2寸线生产1寸线黄光以及蚀刻站需求,清洗花篮上的镂空结构,使晶圆能充分与刻蚀液接触,增加反应速率,进而提高生产效率,并且多个等距分布的晶圆放置槽,使得每个晶圆各部分的反应速度趋于一致,从而达到晶圆沟槽刻蚀均匀性的目的,缩短了生产周期,适合批量生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 便于 蚀刻 清洗 花篮 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东迈捷微新材料有限公司,未经广东迈捷微新材料有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202223606407.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于低温磁场环境的高精度位移测量装置
- 下一篇:便于分类的指静脉识别保险箱
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造