[实用新型]芯片剥离负压加热平台有效
| 申请号： | 202223600004.2 | 申请日： | 2022-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN219180491U | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | 张锡平;王俊;鲁国健 | 申请（专利权）人： | 江苏芯德半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/67 |
| 代理公司： | 无锡华越知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32571 | 代理人： | 王少卿 |
| 地址： | 210000 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种芯片剥离负压加热平台，包括：主控台、负压加热平台和真空吸取机构，主控台的顶部设有负压加热平台，负压加热平台的顶部设置真空吸取机构；真空吸取机构包括：移动部、伸缩部和吸取部，移动部设置在主控台上且位于芯片剥离负压加热平台的上方，移动部上连接伸缩部，伸缩部的底部安装吸取部，本实用新型提供了一种操作方法简便安全、使用负压式的加热平台后的基板表面无划伤、基板可以重复使用、降低了生产成本的芯片剥离负压加热平台。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 剥离 加热 平台 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
