[实用新型]一种高耦合效率的双沟脊型半导体光放大器

摘要

本实用新型公开了一种高耦合效率的双沟脊型半导体光放大器，包括互相耦合的半导体光放大器主体和光纤，所述半导体光放大器主体包括从下至上依次设置的衬底、缓冲层、下波导层、量子阱层、上波导层和上盖层，本实用新型有源区由量子阱和上下波导层构成，量子阱数目较少，上下波导层厚度较宽，构成较大的光腔结构，光波可以在大光腔中扩展，较窄的脊波导结构抑制了高阶横模，不低于3μm的沟槽宽度能够抑制绝大部分高阶横模，双沟槽脊波导结构能够实现近圆形的光束输出，减缓了X和Y方向上尺寸的差异，使得半导体光放大器输出光的模场与光纤相匹配，有效提高了两者的耦合效率。