[实用新型]赝配高迁移率晶体管、低噪声放大器及相关装置有效
| 申请号： | 202223267000.7 | 申请日： | 2022-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN219144184U | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 于明朗;滕腾;叶键伟;余杰;周小敏;徐煜思 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H03F3/195 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 刘丽萍 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种赝配高迁移率晶体管PHEMT、低噪声放大器及相关装置，PHEMT包括：沟道层，分别设置于所述沟道层两侧的下势垒层和上势垒层，所述下势垒层与所述沟道层连接；以及，设置于所述沟道层和所述上势垒层之间的第一隔离层和第一掺杂层，所述第一隔离层用于隔离所述第一掺杂层和所述沟道层，所述第一掺杂层用于提供二维电子气，其中，在PHEMT的输出电流小于第一阈值时的所述沟道层的导带能级小于费米能级，以提高小输出电流时PHEMT的线性度，进而降低由于LNA非线性引起的交调失真。 | ||
| 搜索关键词： | 赝配高 迁移率 晶体管 低噪声放大器 相关 装置 | ||
【主权项】：
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