[实用新型]赝配高迁移率晶体管、低噪声放大器及相关装置

权利要求书

1.一种赝配高迁移率晶体管PHEMT，其特征在于，包括：

沟道层；

分别设置于所述沟道层两侧的下势垒层和上势垒层，所述下势垒层与所述沟道层连接；以及，

设置于所述沟道层和所述上势垒层之间的第一隔离层和第一掺杂层，所述第一隔离层用于隔离所述第一掺杂层和所述沟道层，所述第一掺杂层用于提供二维电子气；

其中，在所述PHEMT的输出电流小于第一阈值时的所述沟道层的导带能级小于费米能级。

2.根据权利要求1所述的PHEMT，其特征在于，所述下势垒层与所述沟道层直接连接。

3.根据权利要求2所述的PHEMT，其特征在于，所述第一掺杂层为硅掺杂，掺杂浓度为3e¹²cm^-2至5e¹²cm^-2。

4.根据权利要求1所述的PHEMT，其特征在于，所述下势垒层与所述沟道层通过第二隔离层和第二掺杂层连接，所述第二隔离层用于隔离所述沟道层和所述第二掺杂层，所述第二掺杂层用于提供二维电子气。

5.根据权利要求4所述的PHEMT，其特征在于，所述第一掺杂层的掺杂浓度为3.5e¹²cm^-2至4.5e¹²cm^-2，所述第二掺杂层的掺杂浓度为3e¹¹cm^-2至5e¹¹cm^-2。

6.根据权利要求4所述的PHEMT，其特征在于，所述第一掺杂层的掺杂浓度与所述第二掺杂层的掺杂浓度之比大于预设值。

7.根据权利要求6所述的PHEMT，其特征在于，所述预设值大于9。

8.根据权利要求4-7任一项所述的PHEMT，其特征在于，所述第一掺杂层的浓度和所述第二掺杂层的浓度的取值使得所述PHEMT在开启状态时所述沟道层的导带能级低于费米能级。

9.根据权利要求1-7任一项所述的PHEMT，其特征在于，所述沟道层的厚度为15nm-20nm。

10.根据权利要求8所述的PHEMT，其特征在于，所述沟道层的厚度为15nm-20nm。

11.根据权利要求1-7和10任一项所述的PHEMT，其特征在于，在所述PHEMT的输出电流小于第二阈值时的所述沟道层的导带能级沿厚度方向大致下降。

12.根据权利要求8所述的PHEMT，其特征在于，在所述PHEMT的输出电流小于第二阈值时的所述沟道层的导带能级沿厚度方向大致下降。

13.根据权利要求9所述的PHEMT，其特征在于，在所述PHEMT的输出电流小于第二阈值时的所述沟道层的导带能级沿厚度方向大致下降。

14.根据权利要求1-7、10和12-13任意一项所述的PHEMT，其特征在于，还包括：帽层、源极、漏极和栅极；其中，所述帽层设置于所述上势垒层背离所述沟道层的一侧并开设通孔，用于提供欧姆接触；所述栅极设置于所述通孔内；所述源极和所述漏极均设置于所述帽层背离所述上势垒层的一侧且分别位于所述通孔的两侧。

15.根据权利要求1-7任意一项所述的PHEMT，其特征在于，还包括：所述沟道层的材料为砷化铟镓；所述上势垒层或所述下势垒层或所述隔离层为砷化铝镓。

16.一种低噪声放大器，其特征在于，包括：如权利要求1-15任意一项所述的PHEMT。