[实用新型]碳化硅长晶热场有效
| 申请号： | 202223179443.0 | 申请日： | 2022-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN218969428U | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 燕靖;包伟刚 | 申请（专利权）人： | 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 221000 江苏省徐州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种碳化硅长晶热场，包括：坩埚，坩埚呈圆柱状，坩埚包括坩埚本体和坩埚盖，坩埚盖粘贴有籽晶，坩埚本体的底部设有碳化硅粉；顶部石墨毡，顶部石墨毡设于坩埚的顶部，顶部石墨毡的中心轴线与籽晶的中心轴线在同一条直线上，顶部石墨毡包括从下到上依次排布的多个第一环毡，每个第一环毡的外径与坩埚的外径相同，在从下到上的方向上，多个第一环毡的内径逐渐减小。根据本实用新型的碳化硅长晶热场，可以使得碳化硅晶体边缘向晶体中心温度逐渐降低，从而使得晶体中心生长速率大于边缘生长速率，有利于提高碳化硅晶体的品质。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 长晶热场 | ||
【主权项】：
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