[实用新型]碳化硅晶体生长装置有效
| 申请号： | 202222928508.0 | 申请日： | 2022-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN218756156U | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 李远田;陈俊宏 | 申请（专利权）人： | 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36;C30B33/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 221000 江苏省徐州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种碳化硅晶体生长装置，碳化硅晶体生长装置包括：石英罩；第一坩埚和第二坩埚，第一坩埚具有一端敞开的生长腔，生长腔内设有用于放置籽晶的石墨托，籽晶和石墨托将生长腔分隔成第一腔室和第二腔室，第一腔室内设有防护组件，第二坩埚具有顶部敞开的第三腔室；驱动模块，驱动模块用于驱动第一坩埚绕预设直线K在第一位置和第二位置之间转动，在第一位置，第二腔室位于第一腔室的正上方，籽晶的硅面与圆形通孔相对设置且朝下；在第二位置，第二腔室与第三腔室对接连通，籽晶的碳面朝下。根据本实用新型的碳化硅晶体生长装置，可以实现籽晶自粘贴，同时可以实现连续生长四英寸碳化硅晶体和六英寸碳化硅晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 晶体生长 装置 | ||
【主权项】：
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