[实用新型]一种图像传感器封装结构有效
申请号: | 202222872386.8 | 申请日: | 2022-10-31 |
公开(公告)号: | CN218849496U | 公开(公告)日: | 2023-04-11 |
发明(设计)人: | 谭磊;周斐 | 申请(专利权)人: | 无锡鸿威电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型涉及传感器技术领域,公开了一种图像传感器封装结构,所述图像传感器在基板上端面设有多组,所述电性连接接点在基板下端面设有多个单元,每个单元的电性连接接点处于每个图像传感器的正下方,所述图像传感器通过引线与电性连接接点电性连接,所述填充部围绕在每个图像传感器的外壁四周,且不对感光区形成遮挡,所述透明盖板四周与填充部密封连接,所述填充部的上端面呈水平状,且透明盖板的上端面不超过填充部的上端面。在基础基板上直接对多个单元的图像传感器进行加工,后注入环氧树脂后,再对其进行切割成单个的图像传感器,无需单独生产图像传感器,提高了图像传感器的生产效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 图像传感器 封装 结构 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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