[实用新型]一种高介质耐电压的光MOS固体继电器有效

专利信息
申请号: 202222594327.9 申请日: 2022-09-29
公开(公告)号: CN218772039U 公开(公告)日: 2023-03-28
发明(设计)人: 张国明;刘亚锋;朱煜;杨姣 申请(专利权)人: 陕西群力电工有限责任公司
主分类号: H03K17/687 分类号: H03K17/687;H01L25/16;H01L31/0203;H01L31/02
代理公司: 宝鸡市新发明专利事务所(普通合伙) 61106 代理人: 李雯;马天顺
地址: 721300 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 实用新型公开了一种高介质耐电压的光MOS固体继电器,包括陶瓷管壳和密封所述陶瓷管壳的金属盖板;陶瓷管壳的两侧分别固定有输入脚和输出脚;陶瓷管壳内设置有SiC MOSFET芯片、光伏组件阵列芯片、陶瓷基板和固定在陶瓷基板底部的红外发光二极管芯片;光伏组件阵列芯片与红外发光二极管芯片相对设置,并与SiC MOSFET芯片电连接;SiC MOSFET芯片与输出脚电连接。本实用新型采用陶瓷密封结构,介质耐电压指标达到4500Vr.m.s。
搜索关键词: 一种 介质 电压 mos 固体 继电器
【主权项】:
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