[实用新型]一种高介质耐电压的光MOS固体继电器有效
申请号: | 202222594327.9 | 申请日: | 2022-09-29 |
公开(公告)号: | CN218772039U | 公开(公告)日: | 2023-03-28 |
发明(设计)人: | 张国明;刘亚锋;朱煜;杨姣 | 申请(专利权)人: | 陕西群力电工有限责任公司 |
主分类号: | H03K17/687 | 分类号: | H03K17/687;H01L25/16;H01L31/0203;H01L31/02 |
代理公司: | 宝鸡市新发明专利事务所(普通合伙) 61106 | 代理人: | 李雯;马天顺 |
地址: | 721300 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种高介质耐电压的光MOS固体继电器,包括陶瓷管壳和密封所述陶瓷管壳的金属盖板;陶瓷管壳的两侧分别固定有输入脚和输出脚;陶瓷管壳内设置有SiC MOSFET芯片、光伏组件阵列芯片、陶瓷基板和固定在陶瓷基板底部的红外发光二极管芯片;光伏组件阵列芯片与红外发光二极管芯片相对设置,并与SiC MOSFET芯片电连接;SiC MOSFET芯片与输出脚电连接。本实用新型采用陶瓷密封结构,介质耐电压指标达到4500Vr.m.s。 | ||
搜索关键词: | 一种 介质 电压 mos 固体 继电器 | ||
【主权项】:
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