[实用新型]一种崩点检查辅助装置有效
申请号: | 202222336382.8 | 申请日: | 2022-09-02 |
公开(公告)号: | CN218769577U | 公开(公告)日: | 2023-03-28 |
发明(设计)人: | 张逸凡;任明祥;吴军翔;任坚强;孙涌涛;任勇;叶天天 | 申请(专利权)人: | 江苏东磁新能源科技有限公司;横店集团东磁股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/673;H01L21/66 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 王士强 |
地址: | 223907 江苏省宿迁市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种崩点检查辅助装置,其属于单晶硅太阳能电池技术领域,包括底座、花篮固定件及硅片顶齿板,花篮固定件设有多个,多个所述花篮固定件分别固定在底座上,多个所述花篮固定件相互配合并支撑电池片花篮;硅片顶齿板设有多个,多个所述硅片顶齿板分别垂直固定在底座上,且所述硅片顶齿板被配置为抵顶所述电池片花篮中的电池片,以使得所述电池片凸出于所述电池片花篮预设高度。本实用新型提供的崩点检查辅助装置用于辅助人工快速地发现电池片上的崩点,进而提高崩点检查的效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 检查 辅助 装置 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的