[实用新型]隔离式进气装置有效
申请号: | 202222036452.8 | 申请日: | 2022-08-03 |
公开(公告)号: | CN217709667U | 公开(公告)日: | 2022-11-01 |
发明(设计)人: | 苏欣;谈太德;姜崴;褚鑫辉;朱佳奇 | 申请(专利权)人: | 拓荆科技股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 姜波 |
地址: | 110179 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种隔离式进气装置,涉及半导体设备的技术领域,包括进气主体和喷头结构;进气主体内设置有至少两条隔离通道,每条隔离通道呈单独连通,进气主体与喷头结构连接,且多条隔离通道分别与喷头结构连通,通过利用每个单独的隔离通道分别进行气体输送,同时每条隔离通道进行使用时,均可以保证每条隔离通道分别对喷头结构内输送多种气体,缓解了现有技术中存在的各种功能气体共用通道造成多站薄膜性能表现不一致,以及利用阀门隔断无法保证调控同时提高维护成本的技术问题。 | ||
搜索关键词: | 隔离 式进气 装置 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的