[实用新型]一种可连续生长单晶硅晶体的石墨坩埚装置有效
| 申请号： | 202221817303.9 | 申请日： | 2022-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN217733358U | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 张晓卉;韦华;钟兴 | 申请（专利权）人： | 沈阳科斯莫科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B35/00 | 分类号： | C30B35/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 沈阳友和欣知识产权代理事务所(普通合伙) 21254 | 代理人： | 于霞 |
| 地址： | 110072 辽宁省沈阳*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种可连续生长单晶硅晶体的石墨坩埚装置，涉及石墨坩埚技术领域，包括坩埚，所述坩埚的下方设有支撑板，所述支撑板的上表面设有支撑柱，所述支撑柱的数量为四根，所述坩埚的下表面与四根所述支撑柱对应的位置设有支撑座，四根所述支撑柱的上端抵在所述支撑座上，所述支撑板的下端向内凹陷设有支撑槽，所述支撑槽的内部设有支撑杆，通过设置支撑柱将坩埚的下端与支撑板分离开，使得侧加热器的热量能辐射都坩埚的下表面，即使按照生产要求将石墨坩埚的尺寸增加，依然能保证侧加热器所传导的热量高效的传递至石墨坩埚的底部，使得坩埚受热更加均匀，缩短侧加热器对坩埚进行加热所需要的时间，满足晶体加热炉热场的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 连续 生长 单晶硅 晶体 石墨 坩埚 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于沈阳科斯莫科技有限公司，未经沈阳科斯莫科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202221817303.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
