[实用新型]一种可连续生长单晶硅晶体的石墨坩埚装置

说明书

本实用新型公开了一种可连续生长单晶硅晶体的石墨坩埚装置，涉及石墨坩埚技术领域，包括坩埚，所述坩埚的下方设有支撑板，所述支撑板的上表面设有支撑柱，所述支撑柱的数量为四根，所述坩埚的下表面与四根所述支撑柱对应的位置设有支撑座，四根所述支撑柱的上端抵在所述支撑座上，所述支撑板的下端向内凹陷设有支撑槽，所述支撑槽的内部设有支撑杆，通过设置支撑柱将坩埚的下端与支撑板分离开，使得侧加热器的热量能辐射都坩埚的下表面，即使按照生产要求将石墨坩埚的尺寸增加，依然能保证侧加热器所传导的热量高效的传递至石墨坩埚的底部，使得坩埚受热更加均匀，缩短侧加热器对坩埚进行加热所需要的时间，满足晶体加热炉热场的需求。

技术领域

本实用新型涉及石墨坩埚技术领域，具体涉及一种可连续生长单晶硅晶体的石墨坩埚装置。

背景技术

石墨坩埚是晶体加热炉内用于盛放石英坩埚的导热件，石墨坩埚里面盛放的是氟化钙单晶材料，加热融化后，生长为晶体。合适的热场，能够生长出高质量的单晶，不好的热场容易使单晶变成多晶，或者根本无法引晶；因此，如何使单晶生长保持在一定温度下的热场结构则尤为重要，目前的热场采用常规的侧加热器，但随着石墨坩埚的尺寸日益增加，侧加热器所传导的热量无法高效的传递至石墨坩埚的底部，所耗费的时间更长，故而不能满足晶体加热炉热场的需求。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种可连续生长单晶硅晶体的石墨坩埚装置，以解决上述背景技术中提出的目前的热场采用常规的侧加热器，但随着石墨坩埚的尺寸日益增加，侧加热器所传导的热量无法高效的传递至石墨坩埚的底部，所耗费的时间更长，故而不能满足晶体加热炉热场的需求的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种可连续生长单晶硅晶体的石墨坩埚装置，包括坩埚，所述坩埚的下方设有支撑板，所述支撑板的上表面设有支撑柱，所述支撑柱的数量为四根，所述坩埚的下表面与四根所述支撑柱对应的位置设有支撑座，四根所述支撑柱的上端抵在所述支撑座上，所述支撑板的下端向内凹陷设有支撑槽，所述支撑槽的内部设有支撑杆。

优选的，所述坩埚为上下两段式结构，所述坩埚的上段为圆管形结构，所述坩埚的下段为半球壳形结构，所述坩埚的上段圆管结构与所述坩埚的下段半球壳开口处固定连接，所述坩埚的上下两段连通连接。

优选的，所述支撑柱的上表面中间位置设有限位销，所述支撑座的下表面与所述限位销对应的位置设有限位孔，所述限位销与所述限位孔拼插连接。

优选的，所述支撑杆的一侧外表面开设有拼插槽，所述支撑槽的内部与所述拼插槽对应的位置设有拼插条，所述拼插条与所述拼插槽拼插连接。

优选的，所述坩埚的下方与所述支撑板之间设有受热通道。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：目前的热场采用常规的侧加热器，通过设置支撑柱将坩埚的下端与支撑板分离开，使得侧加热器的热量能辐射都坩埚的下表面，即使按照生产要求将石墨坩埚的尺寸增加，依然能保证侧加热器所传导的热量高效的传递至石墨坩埚的底部，使得坩埚受热更加均匀，缩短侧加热器对坩埚进行加热所需要的时间，满足晶体加热炉热场的需求。

附图说明

图1为本实用新型的主体结构轴测剖视图；

图2为本实用新型的主体结构轴测图；

图3为本实用新型的主体结构主视剖视图；

图4为本实用新型的主体结构主视示意图；

图5为本实用新型的主体结构轴测剖视图。

图中：1-坩埚、2-支撑板、3-支撑柱、4-支撑座、5-支撑槽、6-支撑杆、7-限位销、8-限位孔、9-拼插槽、10-拼插条、11-受热通道。

具体实施方式