[实用新型]一种可连续生长单晶硅晶体的石墨坩埚装置有效
| 申请号： | 202221817303.9 | 申请日： | 2022-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN217733358U | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 张晓卉;韦华;钟兴 | 申请（专利权）人： | 沈阳科斯莫科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B35/00 | 分类号： | C30B35/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 沈阳友和欣知识产权代理事务所(普通合伙) 21254 | 代理人： | 于霞 |
| 地址： | 110072 辽宁省沈阳*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 连续 生长 单晶硅 晶体 石墨 坩埚 装置 | ||
1.一种可连续生长单晶硅晶体的石墨坩埚装置，其特征在于：包括坩埚(1)，所述坩埚(1)的下方设有支撑板(2)，所述支撑板(2)的上表面设有支撑柱(3)，所述支撑柱(3)的数量为四根，所述坩埚(1)的下表面与四根所述支撑柱(3)对应的位置设有支撑座(4)，四根所述支撑柱(3)的上端抵在所述支撑座(4)上，所述支撑板(2)的下端向内凹陷设有支撑槽(5)，所述支撑槽(5)的内部设有支撑杆(6)。
2.根据权利要求1所述的一种可连续生长单晶硅晶体的石墨坩埚装置，其特征在于：所述坩埚(1)为上下两段式结构，所述坩埚(1)的上段为圆管形结构，所述坩埚(1)的下段为半球壳形结构，所述坩埚(1)的上段圆管结构与所述坩埚(1)的下段半球壳开口处固定连接，所述坩埚(1)的上下两段连通连接。
3.根据权利要求1所述的一种可连续生长单晶硅晶体的石墨坩埚装置，其特征在于：所述支撑柱(3)的上表面中间位置设有限位销(7)，所述支撑座(4)的下表面与所述限位销(7)对应的位置设有限位孔(8)，所述限位销(7)与所述限位孔(8)拼插连接。
4.根据权利要求1所述的一种可连续生长单晶硅晶体的石墨坩埚装置，其特征在于：所述支撑杆(6)的一侧外表面开设有拼插槽(9)，所述支撑槽(5)的内部与所述拼插槽(9)对应的位置设有拼插条(10)，所述拼插条(10)与所述拼插槽(9)拼插连接。
5.根据权利要求1所述的一种可连续生长单晶硅晶体的石墨坩埚装置，其特征在于：所述坩埚(1)的下方与所述支撑板(2)之间设有受热通道(11)。
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