[实用新型]外延片及发光二极管有效
| 申请号： | 202221232215.2 | 申请日： | 2022-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN218351492U | 公开（公告）日： | 2023-01-20 |
| 发明（设计）人： | 曹斌斌;胡加辉;金从龙 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 36150 | 代理人： | 彭琰 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种外延片及发光二极管，外延片包括衬底，还包括依次层叠于所述衬底上的缓冲叠层、N型半导体层、有源发光层、电子阻挡叠层以及P型半导体层；所述缓冲叠层包括依次层叠于所述衬底上的第一缓冲子层、第二缓冲子层以及第三缓冲子层，所述第一缓冲子层和第二缓冲子层均为InN层，所述第三缓冲子层为N型掺杂的InGaN层且其In含量沿远离所述衬底的方向依次递减。本实用新型提出的外延片，通过设置缓冲叠层，以降低衬底与外延层之间的晶格失配，减少外延生长缺陷，进而提高外延长晶质量，从而提高发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 发光二极管 | ||
【主权项】：
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