[实用新型]一种直拉法生长硅单晶的热场装置有效

专利信息
申请号: 202221166411.4 申请日: 2022-05-16
公开(公告)号: CN218147034U 公开(公告)日: 2022-12-27
发明(设计)人: 王琳;郝小平;叶慧慧;樊世飞 申请(专利权)人: 新疆贤安新材料有限公司
主分类号: C30B15/00 分类号: C30B15/00;C30B29/06
代理公司: 重庆纵义天泽知识产权代理事务所(普通合伙) 50272 代理人: 舒梦来
地址: 832000 新疆维吾尔自治区石河子市开*** 国省代码: 新疆;65
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摘要: 实用新型属于单晶硅生产设备技术领域,公开了一种直拉法生长硅单晶的热场装置,包括炉盖和炉体,所述炉盖的外端固定连接有支架,所述炉体的后部转动安装在支架的后部,所述炉体的前部固定连接有支撑轮,所述炉盖和炉体之间固定连接有锁扣,所述支架的下部固定连接有限位弹扣,所述限位弹扣与炉体活动扣接匹配,所述炉体包括炉壳和转套,所述转套与炉壳固定连接,所述炉体还包括把手,所述把手固定连接在炉壳的上部外端,所述炉体还包括支撑座,所述支撑座活动支撑在炉壳的下端。本实用新型将锁扣打开,再将炉体向侧部转开,使得炉盖离开炉体的上部,同理反向操作将炉体恢复,方便了打开炉体或闭合炉体的空间,从而方便了检修炉体。
搜索关键词: 一种 直拉法 生长 硅单晶 装置
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