[实用新型]一种具有隔离沟槽结构的螺旋环电极像素硅探测器阵列有效

专利信息
申请号: 202221103001.5 申请日: 2022-05-09
公开(公告)号: CN217361585U 公开(公告)日: 2022-09-02
发明(设计)人: 刘曼文;李鑫卿;李正 申请(专利权)人: 烟台新旧动能转换研究院暨烟台科技成果转移转化示范基地
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 苏州拓云知识产权代理事务所(普通合伙) 32344 代理人: 高泽民
地址: 264001 山东*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 实用新型提供了一种具有隔离沟槽结构的螺旋环电极像素硅探测器阵列,包括半导体基体,半导体基体中各探测器单元顶部嵌入有螺旋环电极和中心电极,螺旋环电极和中心电极连接构成阴极,中心电极位于螺旋环电极的正中间位置;中心电极上设有第一铝电极接触层;所述螺旋环电极上设有第二铝电极接触层;半导体基体顶部除第一铝电极接触层和第二铝电极接触层外填充有二氧化硅绝缘层;半导体基体的底部嵌入有阳极层,阳极层下方覆盖有第三铝电极接触层;隔离沟槽与二氧化硅绝缘层连接。解决了现有技术中存在的硅像素探测器电容大、像素单元之间存在信号相互干扰等问题。本实用新型还提供了一种具有隔离沟槽结构的螺旋环电极像素硅探测器阵列的替换方案。
搜索关键词: 一种 具有 隔离 沟槽 结构 螺旋 电极 像素 探测器 阵列
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