[实用新型]一种具有隔离沟槽结构的螺旋环电极像素硅探测器阵列有效
申请号: | 202221103001.5 | 申请日: | 2022-05-09 |
公开(公告)号: | CN217361585U | 公开(公告)日: | 2022-09-02 |
发明(设计)人: | 刘曼文;李鑫卿;李正 | 申请(专利权)人: | 烟台新旧动能转换研究院暨烟台科技成果转移转化示范基地 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 苏州拓云知识产权代理事务所(普通合伙) 32344 | 代理人: | 高泽民 |
地址: | 264001 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种具有隔离沟槽结构的螺旋环电极像素硅探测器阵列,包括半导体基体,半导体基体中各探测器单元顶部嵌入有螺旋环电极和中心电极,螺旋环电极和中心电极连接构成阴极,中心电极位于螺旋环电极的正中间位置;中心电极上设有第一铝电极接触层;所述螺旋环电极上设有第二铝电极接触层;半导体基体顶部除第一铝电极接触层和第二铝电极接触层外填充有二氧化硅绝缘层;半导体基体的底部嵌入有阳极层,阳极层下方覆盖有第三铝电极接触层;隔离沟槽与二氧化硅绝缘层连接。解决了现有技术中存在的硅像素探测器电容大、像素单元之间存在信号相互干扰等问题。本实用新型还提供了一种具有隔离沟槽结构的螺旋环电极像素硅探测器阵列的替换方案。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 隔离 沟槽 结构 螺旋 电极 像素 探测器 阵列 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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