[实用新型]一种单晶生长装置有效
| 申请号： | 202221088694.5 | 申请日： | 2022-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN218059295U | 公开（公告）日： | 2022-12-16 |
| 发明（设计）人： | 周振翔;倪代秦;魏华阳;李丹;李康;赵小玻;李勇;赵鹏;何敬晖;高崇;袁雷;陈建荣;黄存新 | 申请（专利权）人： | 中材人工晶体研究院（山东）有限公司;中材人工晶体研究院有限公司;北京中材人工晶体研究院有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36;C30B29/40 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 何家鹏;高莺然 |
| 地址： | 250200 山东省济南市章丘区官庄*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例提供单晶生长装置，包括：炉体和位于炉体内部的保温结构；保温结构内部具有密闭的腔体，腔体用于盛放坩埚，沿炉体的高度方向，保温结构包括位于坩埚上方的第一保温层、位于坩埚下方的第二保温层以及环绕坩埚外周的第三保温层；第一保温层包括中心部和围绕中心部外侧的外围部，中心部能够相对于外围部上下运动，以使保温结构密封或者具有一定的开口，外围部靠近坩埚的一端设有第一控温件，第一控温件和中心部之间设有第一加热件，第一加热件与第一控温件和中心部之间均具有预设距离。该单晶生长装置，能够优化单晶生长装置中坩埚内的温度分布，提高晶体生长质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 装置 | ||
【主权项】：
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