[实用新型]高可靠性屏蔽栅功率器件有效

专利信息
申请号: 202220606534.9 申请日: 2022-03-18
公开(公告)号: CN216902953U 公开(公告)日: 2022-07-05
发明(设计)人: 徐真逸;杨飞;吴凯;张广银;朱阳军 申请(专利权)人: 南京芯长征科技有限公司
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78
代理公司: 无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228 代理人: 过顾佳
地址: 210000 江苏省南京市江宁区苏源*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型涉及一种屏蔽栅功率器件,尤其是一种高可靠性屏蔽栅功率器件。按照本实用新型提供的技术方案,所述高可靠性屏蔽栅功率器件,包括半导体基板以及设置于所述半导体基板中心区的元胞区,半导体基板包括第一导电类型衬底以及设置于所述第一导电类型衬底上的第一导电类型外延层,元胞区内的元胞采用SGT结构,所述SGT结构包括元胞沟槽以及设置于元胞沟槽内的SGT单元,且元胞沟槽位于所述第一导电类型外延层内;在元胞区内,N个相邻的元胞形成一元胞排列单元;在任一元胞排列单元内,N个元胞相应元胞沟槽之间的距离呈逐步变化。本实用新型能有效降低屏蔽栅器件在开关时的电压震荡,并能提升EAS能力,提高器件的可靠性。
搜索关键词: 可靠性 屏蔽 功率 器件
【主权项】:
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