[实用新型]一种双P-GaN栅氮化镓增强型器件有效
| 申请号： | 202220591131.1 | 申请日： | 2022-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN217214726U | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 余丽波;邓颖婷;郑崇芝 | 申请（专利权）人： | 成都智达和创信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L29/20 |
| 代理公司： | 成都熠邦鼎立专利代理有限公司 51263 | 代理人： | 汤楚莹 |
| 地址： | 610000 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种双P‑GaN栅氮化镓增强型器件，从下到上依次包括GaN沟道层和AlGaN势垒层，在所述AlGaN势垒层的顶部设有P‑GaN势垒层Ⅰ和P‑GaN势垒层Ⅱ，且P‑GaN势垒层Ⅰ和P‑GaN势垒层Ⅱ之间具有间距，在所述AlGaN势垒层的顶部一端淀积有源极金属，另一端淀积有漏极金属；所述P‑GaN势垒层Ⅰ的顶部淀积有栅极金属Ⅰ，所述P‑GaN势垒层Ⅱ的顶部淀积有栅极金属Ⅱ，所述的GaN沟道层和所述的AlGaN势垒层形成二维电子气，所述的P‑GaN势垒层Ⅰ、栅极金属Ⅰ、P‑GaN势垒层Ⅱ和栅极金属Ⅱ共同构成双P‑GaN栅结构；本实用新型不仅拥有相对传统GaN HEMT器件更低的栅电容，同时提高了耐压，提升了器件在高压条件下工作时的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 氮化 增强 器件 | ||
【主权项】：
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