[实用新型]一种双P-GaN栅氮化镓增强型器件

权利要求书

1.一种双P-GaN栅氮化镓增强型器件，从下到上依次包括GaN沟道层和AlGaN势垒层，其特征在于，在所述AlGaN势垒层的顶部设有P-GaN势垒层Ⅰ和P-GaN势垒层Ⅱ，且P-GaN势垒层Ⅰ和P-GaN势垒层Ⅱ之间具有间距，在所述AlGaN势垒层的顶部一端淀积有源极金属，另一端淀积有漏极金属；

所述P-GaN势垒层Ⅰ的顶部淀积有栅极金属Ⅰ，所述P-GaN势垒层Ⅱ的顶部淀积有栅极金属Ⅱ，所述的GaN沟道层和所述的AlGaN势垒层形成二维电子气，所述的P-GaN势垒层Ⅰ、栅极金属Ⅰ、P-GaN势垒层Ⅱ和栅极金属Ⅱ共同构成双P-GaN栅结构。

2.根据权利要求1所述一种双P-GaN栅氮化镓增强型器件，其特征在于，P-GaN势垒层Ⅰ、P-GaN势垒层Ⅱ、栅极金属Ⅰ和栅极金属Ⅱ围成栅极区域，P-GaN势垒层Ⅰ和P-GaN势垒层Ⅱ分别位于栅极区域的两侧。

3.根据权利要求2所述一种双P-GaN栅氮化镓增强型器件，其特征在于，在所述AlGaN势垒层的表面且避让P-GaN势垒层Ⅰ、P-GaN势垒层Ⅱ、源极金属和漏极金属安装部位后的区域设有钝化层。

4.根据权利要求3所述一种双P-GaN栅氮化镓增强型器件，其特征在于，所述的钝化层采用SiO2、Si3N4、AlN、Al2O3、MgO、Sc2O3、HfO2、高低κ介质、铁电材料或无机材料中的一种制成。

5.根据权利要求1-4任一所述一种双P-GaN栅氮化镓增强型器件，其特征在于，所述源极金属和漏极金属均与AlGaN势垒层之间欧姆接触；

所述的栅极金属Ⅰ和栅极金属Ⅱ分别与P-GaN势垒层Ⅰ和P-GaN势垒层Ⅱ之间肖特基接触。

6.根据权利要求5所述一种双P-GaN栅氮化镓增强型器件，其特征在于，该种双P-GaN栅氮化镓增强型器件还包括GaN缓冲层，所述的GaN缓冲层位于GaN沟道层的底部。

7.根据权利要求6所述一种双P-GaN栅氮化镓增强型器件，其特征在于，该种双P-GaN栅氮化镓增强型器件还包括P型Si衬底，所述的P型Si衬底位于GaN缓冲层的底部。

8.根据权利要求6-7任一所述一种双P-GaN栅氮化镓增强型器件，其特征在于，所述P-GaN势垒层Ⅰ和P-GaN势垒层Ⅱ长度相同，当P-GaN势垒层Ⅰ作为主栅时，P-GaN势垒层Ⅱ作为副栅；当 P-GaN势垒层Ⅰ作为副栅时，P-GaN势垒层Ⅱ作为主栅。

9.根据权利要求6-7任一所述一种双P-GaN栅氮化镓增强型器件，其特征在于，所述P-GaN势垒层Ⅰ和P-GaN势垒层Ⅱ长度不同，P-GaN势垒层Ⅰ和P-GaN势垒层Ⅱ之间相对长度长的作为主栅，相对长度短的作为副栅。