[实用新型]一种低能脉冲离子束产生装置有效

专利信息
申请号: 202220559656.7 申请日: 2022-03-15
公开(公告)号: CN217361496U 公开(公告)日: 2022-09-02
发明(设计)人: 刘会平;李锦钰;方兴;康龙;张桐民 申请(专利权)人: 中国科学院近代物理研究所
主分类号: H01J37/08 分类号: H01J37/08;H01J37/147
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人: 孙楠
地址: 730000 *** 国省代码: 甘肃;62
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摘要: 实用新型涉及一种低能脉冲离子束产生装置,其包括:偏转电极,设置在加速器的离子传输管线法兰上,位于所述加速器离子传输管线内部;二维可调狭缝,与所述偏转电极平行设置在同一所述法兰上;偏转电极电源连接端,穿设在所述法兰上,位于所述加速器离子传输管线内部的所述偏转电极电源连接端与所述偏转电极连接,位于所述加速器离子传输管线外部的所述偏转电极电源连接端与外部的偏转电极电源连接。本实用新型可以将加速器产生的低能重离子连续束转换为脉冲束、极窄纳米脉冲束,减弱高压电源性能对脉冲束的影响。本实用新型能广泛在加速器离子束脉冲化技术领域中应用。
搜索关键词: 一种 低能 脉冲 离子束 产生 装置
【主权项】:
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